今日の急速なコンピューティング時代において、ストレージデバイスのパフォーマンスは、私たちのユーザーエクスペリエンスに直接影響を与えます。機械式ハードドライブからソリッドステートドライブ(SSD)、そして今や待望のRAM SSDまで、ストレージ技術の各進歩は、「速度」に対するユーザーの認識を絶えず再定義してきました。コンシューマー市場では、PCIe Gen4インターフェースを搭載したRAM SSDが、究極のパフォーマンスを求めるユーザーにとって新たな定番となりつつあります。
RAM SSDは、従来のRAM(ランダムアクセスメモリ)の高い読み書き速度と、SSD(ソリッドステートドライブ)の永続的なストレージ機能を組み合わせた、メモリベースのソリッドステートストレージデバイスです。通常のSSDと比較して、RAM SSDは読み書き速度に大きな違いがあります。標準的なSATA SSDのシーケンシャル読み書き速度は通常500~600MB/sですが、主流のNVMe SSDは3,000~7,000MB/sに達することがあります。RAM SSDは、特定の条件下では10,000MB/sを超えることも容易にあります。
一般ユーザーにとって、これはシステムの起動、ソフトウェアの読み込み、大容量ファイルの転送がほぼ瞬時に行われることを意味します。クリエイティブワーカー、ゲーマー、および高頻度の読み書き操作を行う専門家にとって、この速度によってもたらされる効率性の向上はさらに顕著です。
RAM SSDのパフォーマンスは、高速インターフェースのサポートに依存します。従来のSATAインターフェースは長い間ボトルネックとなっており、PCIe(Peripheral Component Interconnect Express)インターフェースが登場しました。特にPCIe Gen4バージョンは、高性能ストレージに幅広い帯域幅サポートを提供します。
PCIe Gen4インターフェースは、前世代のGen3の2倍の帯域幅を誇ります。x4レーンを例にとると、Gen3の理論上の帯域幅は約4GB/sですが、Gen4は8GB/sに達することができ、RAM SSDがその潜在能力を最大限に発揮するための十分な余地を提供します。これはまた、PCIe Gen4インターフェースを搭載したRAM SSDが、より高いシーケンシャル読み書き速度と低いレイテンシを実現し、高負荷環境の極端なパフォーマンス要求を満たすことができることも意味します。