Trong thời đại máy tính phát triển nhanh chóng hiện nay, hiệu năng của các thiết bị lưu trữ ảnh hưởng trực tiếp đến trải nghiệm người dùng của chúng ta. Từ ổ cứng cơ học đến ổ cứng thể rắn (SSD), và giờ là ổ cứng SSD RAM được mong đợi, mỗi bước tiến trong công nghệ lưu trữ đã liên tục định nghĩa lại nhận thức của người dùng về "tốc độ". Trong thị trường tiêu dùng, ổ cứng SSD RAM được trang bị giao diện PCIe Gen4 đang trở thành một lựa chọn yêu thích mới cho những người dùng tìm kiếm hiệu năng cực cao.
Ổ cứng SSD RAM là một thiết bị lưu trữ thể rắn dựa trên bộ nhớ, kết hợp tốc độ đọc và ghi cao của RAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên) truyền thống với khả năng lưu trữ liên tục của SSD (ổ cứng thể rắn). So với các ổ cứng SSD thông thường, ổ cứng SSD RAM mang đến sự khác biệt đáng kể về tốc độ đọc và ghi: Tốc độ đọc và ghi tuần tự của ổ cứng SSD SATA tiêu chuẩn thường dao động từ 500-600 MB/s, trong khi ổ cứng SSD NVMe phổ biến có thể đạt 3.000-7.000 MB/s. Ổ cứng SSD RAM có thể dễ dàng vượt quá 10.000 MB/s, thậm chí gần bằng tốc độ RAM trong một số điều kiện nhất định.
Đối với người dùng thông thường, điều này có nghĩa là khởi động hệ thống, tải phần mềm và truyền tệp lớn sẽ gần như ngay lập tức. Đối với những người làm việc sáng tạo, game thủ và các chuyên gia có các thao tác đọc và ghi tần suất cao, những lợi ích về hiệu quả do tốc độ này mang lại còn rõ rệt hơn.
Hiệu năng của ổ cứng SSD RAM phụ thuộc vào sự hỗ trợ của giao diện tốc độ cao. Giao diện SATA truyền thống từ lâu đã trở thành nút thắt cổ chai, và giao diện PCIe (Peripheral Component Interconnect Express) đã xuất hiện, đặc biệt là phiên bản PCIe Gen4, cung cấp hỗ trợ băng thông rộng hơn cho lưu trữ hiệu năng cao.
Giao diện PCIe Gen4 tự hào có băng thông gấp đôi so với thế hệ trước, Gen3. Lấy một làn x4 làm ví dụ, băng thông lý thuyết của Gen3 là khoảng 4 GB/s, trong khi Gen4 có thể đạt 8 GB/s, cung cấp đủ không gian cho ổ cứng SSD RAM phát huy hết tiềm năng của chúng. Điều này cũng có nghĩa là ổ cứng SSD RAM với giao diện PCIe Gen4 có thể đạt tốc độ đọc và ghi tuần tự cao hơn và độ trễ thấp hơn, đáp ứng các yêu cầu hiệu năng cực cao của môi trường tải nặng.